1973年，日本村山開發(fā)了一種射頻放電離子鍍（RFIP）裝置，其原理圖如圖10-22所示。裝置的真空度為10-1 Pa至10-2 Pa，氣相沉積材料的霧化度為10％，加熱的頻率線圈高7 cm，并用3根銅線纏繞7圈。射頻源頻率為13.56MHz或18MHz，功率為1kW?2kW，直流偏置為0?1500V。該裝置分為三個區(qū)域：以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū)，以高頻線圈為中心的電離區(qū)和以基板為中心的離子加速區(qū)。這三種有機地結(jié)合在一起，可以涂上金屬膜，化合物膜和合金膜。由于涂布時的真空度高，鍍層的針孔數(shù)少，膜質(zhì)均勻且致密，并且純度高，這對于制造超導(dǎo)膜和光學(xué)器件特別有利。電影。 RF放電離子鍍的優(yōu)點：1蒸發(fā)，電離和加速這三個過程是獨立控制的，并且電離是通過RF激發(fā)的，而不是加速DC電場，并且在基板周圍不會產(chǎn)生陰極暗區(qū)。 2工作壓力低，成膜質(zhì)量好。 3基板溫度較低且易于控制。缺點是：由于真空度高，衍射差，需要頻率源和電極之間的匹配源，并且隨著涂層參數(shù)的變化而調(diào)整，蒸發(fā)源和頻率源容易產(chǎn)生對于干擾，無線電頻率對人體有害。需要受到保護。